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　　III-V族半導體磊晶廠F-IET英特磊(4971)昨(8)日舉行上櫃前記者會，預計24日回台掛牌上櫃。
　　總經理高永中指出，英特磊主攻MBE(分子束磊晶)技術，擁有高度設備自主能力將產值極大化，未來將持續深化與客戶開發合作關係，以期業績能達往年複合成長率3成。
　　英特磊主要產品包括砷化鎵(GaAS)、磷化銦(InP)，各自運用於手機開關市場，以及高頻光纖網路及高頻量測元件。
　　高永中認為，砷化鎵因其高傳導特性，看到了未來超高頻應用通訊元件的機會，而磷化銦則在正處蓬勃發展的雲端運算及網路資料傳遞市場大有機會。
　　英特磊砷化鎵產品比重達到39.6％，磷化銦占了40.3％，其它包括像銻化鎵(GaSb)占比約4.5％，勞務收入則占15.6％。
　　其中砷化鎵市場已較成熟，毛利率為產品別內最低約在15％到25％之間，磷化銦則有40％到50％的高毛利，而占比較小的銻化鎵毛利率更達50％以上。
　　高永中表示，長期來看，公司高毛利產品包括磷化銦及銻化鎵目標占比要達6成，將會是公司毛利率優於同業的關鍵。
　　高永中分析，全球III-V族磊晶片市場每年規模約4億美元，其中採 MOCVD生產占比60％，採MBE生產占比40％。
　　相較於市場較熟悉的MOCVD技術磊晶片，目前已有95％到99％釋出給代工廠生產，並無大幅成長空間，而採用MBE技術的磊晶片，則還有很大的委外商機。
　　英特磊去年營收5.58億元，毛利率42.5％，去年稅後EPS 4.53元。今年第1季營收1.34億元，毛利率37％，稅後EPS 0.54元，第2季在營收及獲利上，都能優於第1季表現。<擷錄工商>

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