微電子學家薩支唐院士

   薩支唐（Tom Chih-Tang Sah） 為薩本棟子。美國著名微電子學家。1932年11月10日生於北京，1949年福州英華中學畢業，1953年在美國伊利諾大學香檳分校獲電機工程學士和工程物理學士，1954年、1956年在斯坦福大學分別獲電機工程碩士、博士學位。

   薩支唐長期從事半導體器件和微電子學研究，對電晶體、積體電路以及可靠性研究作出里程碑式貢獻。1959-1962年任美國仙童半導體公司物理部主任，1961-1988年任美國伊利諾大學電機工程與物理教授。1988年至今，任美國佛羅里達大學電機與電子工程系教授、工學院首席科學家。他提出了半導體p-n結中電子-空穴複合理論，開發了半導體局部擴散的平面工藝和MOS、CMOS場效應電晶體，並提出MOS電晶體理論模型。他發明了探測半導體中微量缺陷的深能級瞬態譜（DLTS）方法，發現了氫在矽中對受主雜質的鈍化作用。現在，薩支唐致力於亞微米MOS電晶體的可靠性研究。他發表論文260篇，專著3本。其《固態電子學基礎》，在復旦大學謝希德院士的促成下，2002年10月譯為中文出版。由於他的科學成就，1963年獲美國電子工程學會波特·湯姆生獎（30歲以下最佳作者獎）；1975年佛蘭克林學院獎及終生院士；1986年美國工程院院士；1998年獲美國半導體工業協會（SIA）最高獎等。

　　薩支唐是最早與國內合作的美國科學家之一。他多次訪華，先後指導12名中國研究生，多次協助在中國舉辦國際學術研討會。2000年當選中國科學院外籍院士。

　　2003年9月8日薩支唐受聘為清華大學名譽教授。2003年11月11日北京大學也授予他為名譽教授。