RAM隨機存取記憶體

可以寫入暫存，但是必須透過一定間隔時間，對該記憶體充電，以便保持資料的完整性。但當外部電源關閉，則其內所記憶的資料隨即消失，為揮發性記憶體，安插時必須注意中央處理器以及主機板的規格安裝，例如主機板可以支援66*3MHz外頻時，如果安裝133MHz外頻的記憶體時，記憶體便無法以高速執行。記憶體的存取時間單位乃是以奈秒 ns 為主


SRAM 以正反器Flip-Flop為主，電荷不會隨時間而消失，不需經常refresh，一般作為快取記憶體cache，速度在10-15ns
DRAM 以電容為基本單位，電荷會隨時間而消失必須時常更新refresh電路，一般作為主記憶體用，速度在60-70ns，包括有FP DRAM，EDO RAM，SDRAM，三者速度SDRAM>EDO RAM>FP DRAM 比較項目 SRAM
DRAM
型態 不揮發 揮發
存取速度 快 慢
元件密度 低 高
單位成本 高 低
耗電量 高 低

DRDRAM/RDRAM Direct Rambus DRAM是英特爾（Intel）投資Rambus公司之後，所推出的新一代Rambus記憶體，我們便常稱其為Direct Rambus DRAM(DRDRAM，其記憶體模組則是RIMM，Rambus In-line Memory Moudle）。Intel一直極力提倡DRDRAM的應用，但目前在高速顯示卡中才有相關的產品，其他在電動遊樂器等類之產品應用也非常廣泛，相當著名的「任天堂64」遊樂主機，便是採用DRDRAM做為主記憶體。 由於DRDRAM常被用於高速顯示卡中，若是要將其應用在電腦系統裡，便必須大幅地更改目前的控制架構，此外，製作DRDRAM的印刷電路板技術門檻亦相當高，因此，DRDRAM的價格並不便宜。現在市場上已Intel的820等晶片可以支援DRDRAM的應用，但由於製作成本的昂貴，讓其他晶片廠商對於DRDRAM的配合程度，受到相當程度的影響。
DDR SDRAM Double Data Rate Synchronous DRAM為倍數隨機存取記憶體，與傳統SDRAM相比「加倍的傳輸速率」。也有人將之稱為SDRAM II。 DDR SDRAM比起目前100外頻的SDRAM更有傳輸上的效能展現，並且輕鬆地達到至少200MHz的工作頻率。從外觀上來看，雖然DDR SDRAM同樣為168pin的DIMM（Dual In-Line Memory Module）模組，但其與目前的SDRAM運作架構完全不同，所以大部份主機板並不能支援DDR SDRAM的記憶體，不過在晶片研發的角度上，DDR SDRAM已廣泛地應用在繪圖加速卡上，與VCM在未來皆很有可能成為下一代記憶體的主流產品




唯讀記憶體ROM

此類記憶體內的資料通常為長期保存，祇供讀取，為非揮發性記憶體，一般存放BIOS資料又稱ROM-BIOS
為了提升BIOS的服務效率，會在記憶體中開一區域稱為Shadow RAM，在電腦一開機的時候便把BIOS複製到該區域以 RAM 來取代 ROM，，當作業系統使用到BIOS 的中斷函數時，程式將在 RAM 而非 ROM 上執行


MASK ROM 內部資料在出廠前已經寫入記憶體中
PROM 出廠時記憶體內部無資料，使用者可以自行將資料寫入，但僅寫入此次
EPROM 資料可以利用紫外線抹去重寫，通常外部會有一小透明窗口
EEPROM 資料利用較高電流與電壓抹去重寫，與Flash Memory的工作原理相同
Flash Memory 快閃記憶體，又稱Flash ROM，資料可讀寫，電源消失資料仍留存，並且價格較便宜且位元密度較高。具有RAM與ROM的優點，可應用為數位相機的記憶卡片等用途
Firmware 韌體，將軟體程式燒錄在硬體積體電路中，使硬體本身具有程式功能指揮電腦作業









RAM與ROM的比較
　 　 記憶資料 讀取
ROM 不隨外部電源消失 一般唯讀
RAM 隨外部電源消失 可讀可寫

SRAM與DRAM的比較
　 　 用途 材料 Refresh 揮發性 存取速度 　
SRAM 快取記憶體 正反器 不須 揮發性 較快 　
DRAM 主記憶體 電容 須要 揮發性 較慢