第三代半導體禁帶半導體SiC/GaN具備高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等物理特性，因此其天然適合對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件要求較高的應用，被視為電力電子領域的顛覆性技術。SiC在汽車OBC（車載充電器）和DC-DC組件應用已經相對成熟，而基於SiC的主驅逆變器仍未進入大規模量產階段。電動車市場對於延長續航裡程及縮短充電時間有著極大需求，整車平台高壓化趨勢愈演愈烈，對此各大車企已陸續推出800V高壓車型。GaN-on-SiC 能承受的崩潰電壓卻相對大的多，極限在 2000 伏左右，意味著應用於車用將有相當大的潛力。電動機車應該會是 GaN-on-SiC 的重要里程碑」，由於台灣在電動機車的主導性相對大，「電動機車無疑將是一個試金石，一旦成功導入電動機車，未來在打入電動車的供應鏈就有把握度」。
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