汎銓科技-汎銓專精材料分析 建置先進TEM設備

汎銓科技全新引進 FEI OSIRIS TEM設備，大幅提升EDS（Energy-dispersive X-ray spectroscopy能量分散分析光譜）分析能力，提供更高品質的 ZC（atomic number contrast）影像。

　　汎銓專精於材料分析及IC電路修補，近年在各種先進分析設備的投資額皆以億元計，顯示出資本與技術密集的行業特性。汎銓的所有投資均經縝密的規劃，包括因應市場發展的提前布局及各項先進設備投入的時間點，以配合客戶需求為前提，不同於一般製造業的「稼動率」觀念。汎銓肯投資，在最短時間內完成客戶交付的任務，追求效率與堅持品質，取得客戶的信任委案，進而創造業績及獲利。

　　材料分析主管周學良表示，半導體製程研發腳步演進微縮至20/16/10nm，元件尺寸不斷變小，電晶體從平面式轉變到3D，使得TEM 試片製備難度越來越高。汎銓不斷提升TEM試片製備能力及強化TEM 成份(元素)分析能力，具備15奈米以下TEM試片厚度製備能力，滿足先進製程開發需求。

　　汎銓為目前國內業界唯一同時擁有日系及歐美系TEM 設備的專業分析服務公司，更全面服務來滿足客戶。工程人員的穩定度與經驗領先同業，機台也最先進，「以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求」的經營定位，獲得客戶信賴。


汎銓科技攜手成大 研發奈米材料
汎銓科技與成功大學，18日簽訂「專案開發合作契約」，未來雙方將針對奈米材料分析技術開發進行合作研究，希望結合各自技術強項，就未來趨勢，研究開發所需之檢測設備及檢測技術，提升材料分析技術，達到「一加一大於二」之成效。

汎銓科技董事長柳紀綸指出，該公司今年剛好進入第十年，主要投入在固態半導體材料分析領域，目前在南科有辦公室，也正規畫設立實驗室，未來期望在生物科技領域上，向成大多多學習。

成大微奈米中心主任陳顯禎表示，此舉不僅有助於合作夥伴汎銓科技之市場競爭力，亦能使國內奈米生醫材料檢測技術有更好發展。成大微奈米中心期望以更精進的技術，為學界及產業界提供優質服務，加強國家競爭力。

成大微奈米中心於民國九十二年成為成大校級編制內一級單位，目前擁有近60部先進儀器設備(近新臺幣4億元)，集中管理於160坪之奈米微影與製程無塵室與125坪之奈米檢測與分析實驗室，已發展出奈米微影製程、奈米磊晶與表面分析、奈米材料分析、生醫暨非破壞分析等四大核心技術團隊。

此外，微奈米中心提供各學術機構、產業界及研究單位之服務與研究合作，已成為最具規模與完整服務之微奈米科技研究與教育中心，並擁有「奈米標章實驗室」，通過全國認證基金會（TAF）之評鑑，為一個符合國際ISO─17025標準之測試實驗室，提供奈米產品完整測試報告。


汎銓 完成20奈米IC電路修補
為滿足半導體大廠對尖端IC電路修補的技術需求，汎銓科技去年底引進最先進的聚焦離子束機台FEI V400ACE，應用於國內IC設計大廠的最先進20nm IC，今年1月電性測試證實，已率先成功完成20nm製程電路修補，符合客戶預期。

　　汎銓專注於電路修補服務與技術開發，工程人員穩定度與經驗累積領先同業，以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求。

　　在材料分析方面，隨著半導體製程演進微縮至20/16/10nm，一般SEM/FIB/TEM影像已無法滿足分析需求，需藉由成份（元素）分析資訊輔助觀察製程缺陷及製程研發改善效果，此需求及依賴性，隨著製程微縮越來越高。

　　汎銓為此也引進先進設備及軟體，強化元素分佈（element mapping）分析能力。近期購置台灣第一台EDS（Energy dispersive Spectrum）SDD（Solid Drift Detector）150mm偵測器，裝置於高階SEM/FIB，帶來超高偵測效益，並降低元素偵測極限。在輕元素部分，可大幅度改進，提高元素分佈分析空間的解析度達幾十奈米等級，取得更快的分析時效；TEM元素分佈分析能力也不斷提升，符合先進製程開發的需求。

　　汎銓投資先進機台，為業界領先者，深信維持人員穩定性，才能在專業度領先同業，為客戶滿意的不二法門。除了自豪於員工年薪一直高於同業，離職率低於同業，人員經驗累積與技術傳承，更是汎銓重要的策略與競爭優勢。


汎銓TEM分析能力 與世界級實驗室同一水準服務技術及時效領先
汎銓TEM分析能力 與世界級實驗室同一水準服務技術及時效領先 成為半導體大廠策略夥伴　　汎銓科技專精於半導體尖端製程技術的研發分析服務，為IC Design House、FAB、半導體設備商及LED產業的長期夥伴，配合客戶需求，提供各種材料分析及IC電路修補，受到高度信賴。

　　汎銓建置有高解析度FE-SEM、FIB、TEM等材料結構分析儀器，以及OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器，並有IC設計電路修補儀器等先進設備，能協助客戶找出缺陷和故障成因，加速產品商業化。

　　材料分析部門主管周學良表示，隨著半導體製程演進，台灣及國際半導體廠已邁入20/22nm 及14/16nm生產及研發的世代，汎銓不斷投入設備及研發來提升分析技術能力，符合先進製程需求。汎銓更嘗試向最高難度的技術挑戰，以市面上最先進的Intel 22nm CPU （Ivy bridge CUP）進行TEM 分析，結果證明，該公司的TEM 分析能力不但與世界級實驗室同一水準，時效上的領先更獲得客戶認同。

　　一般TEM試片的厚度約100nm，但14~22nm製程則需具備超薄TEM 試片厚度的製備能力，汎銓早已具備此分析能力，能滿足16~22nm 先進製程的需求。而隨著製程微縮至14~22nm，一般TEM影像已無法滿足分析需求，必需藉由成份（元素）的分析資訊輔助觀察，該公司特別購置最先進的Windowless EDS 偵測器，強化元素分佈（element mapping）分析的能力。

　　清華大學陳福榮教授為電子顯微鏡研究領域的專家，今年年初汎銓敦請他擔任榮譽顧問。陳福榮在高顯像能電子顯微鏡、積體電路微結構分析、固體界面原子結構偏折及鍵結、原子分辨率斷層攝影學、先進電子光學儀器設計研發、軟物質電子顯微學（相位板／濕胞顯微術）、電致色變智慧節能窗、太陽能電池元件製程等方面，具有突出的成就和顯著貢獻，因而享有聲譽。

　　汎銓表示，在陳福榮教授的協助下，將進一步精進公司在電子顯微鏡、積體電路微結構分析、固體界面原子結構偏折及鍵結等材料分析領域的技術能力，提升服務客戶的能量與深度。

　　維持人員的穩定性，累積經驗與技術傳承，為汎銓重要的策略與競爭優勢。汎銓很自豪於員工年薪一直高於同業，離職率低於同業，深信並澈底實踐:維持人員穩定性才能在專業度領先同業，也是讓客戶滿意的不二法門。


需求強勁 汎銓擴廠設備升級
汎銓科技因應半導體客戶未來幾年強勁需求，展開擴廠計畫，已新增200坪廠地，將建置最先進的材料分析檢測設備，積極邁入16nm及以下製程。

　　汎銓專注於材枓分析與IC電路修補，長期為半導體大廠在尖端製程技術研發與分析的策略夥伴，近年營業成長幅度約二成以上，除了晶圓代工大廠，IC Design House、半導體設備商及LED產業也是重要客群。

　　該公司表示，半導體高階製程朝向10奈米邁進，晶圓廠已展開龐大的擴廠與研發投資，因應半導體產業世代進步演進與分析服務的需求，汎銓在機台設備及人員技術經驗方面已做好萬全的準備。

　　汎銓近年引進一系列全球最先進的材料分析機台，包括Dual Beam FIB 450S（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀）、高對比TEM（穿透式電子顯微鏡）、高解析度SEM（掃描式電子顯微鏡，0.9nm@1KV） 及高解析TEM（點解析0.19nm@200KV）等機台均超越同業，可提供16nm以下先進製程的分析；最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，可供超低電壓之材料的表面對比，以及高量子效應的成分分析（EDS）先進偵測器提高Mapping速度與空間解析度達次微米（SEM<1um）及次奈米（TEM<1nm）水準。

　　在電性故障分析方面，則引進OBIRCH最先進的數位Lock-in技術，提升訊號對雜訊比，增加缺陷偵測成功率及定位精準度。

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公司簡介
汎銓科技成立於2005年7月，設置有完善的實驗室，配備全套分析設備，包括高解析度FE-SEM、FIB、TEM等材料結構分析儀器，OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器及IC電路修補儀器等先進設備，提供IC design house、半導體製造業、LED光電產業、傳統產業之產品或元器件的材料與故障分析服務(Material Analysis & Failure Analysis)，協助產業界找出產品設計缺陷和故障成因。

維持人員的穩定性，經驗的累積與技術傳承，是汎銓科技重要的策略，汎銓公司內部提供公平競爭且差異化薪資平台，鼓勵員工熱誠服務，滿足客戶的需求，汎銓員工年收入及各項福利制度優越，多年來人員穩定性與專業技術累積均領先同業。以最充沛的機台數及工程人員提供快速( 4~24小時內回貨)及高品質的服務方式，成為汎銓的強力競爭優勢。

汎銓科技(MSS)以奈米碳管結構做為LOGO，公司期盼汎銓成員就像奈米碳管中碳原子一樣，緊密結合、強韌延展，持續強化專業及熱忱特質，扮演好＂客戶研發分析的長期夥伴＂!!