晶圓製造www.tool-tool.com
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●矽是一種不昂貴的半導體材料，而二氧化矽是很容易成長的，它也是一種堅固且穩定的介電質。
●<100>和<111>是最常使用的矽晶體方向o
●晶圓的製造過程是將砂(二氧化矽)轉變成冶金級矽(MGS)，冶金級矽轉變成三氯矽烷(TCS)，三氯矽烷轉變成電子級矽材料(EGS)，電子級矽材料轉變成單晶矽晶棒，然後把晶棒轉變成晶圓。
●CZ法與懸浮帶區法皆可用來製作晶圓，但CZ法較被廣泛地使用。
●CZ法比較便宜而且可以製作較大尺寸的晶圓o
●懸浮帶區法可製作純度較高的晶圓。
●雙載子元件需要使用矽磊晶層，而矽磊晶層也可以改進CMOS和DRAM的性能o
●積體電路工業使用高溫的CVD製程來製造磊晶矽成長。
加熱製程
●加熱製程是一種高溫製程，會在晶圓表面添加一層薄膜(氧化、沉積以及摻雜)，或是改變晶圓材質的化學狀態(合金)或物理狀態(退火、擴散和再流動)。
●氧化、退火和沉積是三種重要的加熱製程。
●在氧化製程中，氧氣或水蒸氣會和矽起反應而形成二氧化矽。
●在氧化製程前的矽晶圓表面清洗是十分重要的，因為受到污染的表面會提供成核位置而形成二氧化矽多晶體層。
●濕氧化此乾氧化具有較高的氧化層成長速率。較厚的氧化層通常使用濕氧化製程，如整面全區氧化層成長o
●較薄的氧化層通常使用乾氧化製程，它能成長品質較好的氧化層薄膜。
●IC工業的摻雜製程中通常使用擴散製程。它利用二氧化矽來做為擴散遮蔽層，因為大多數的摻雜物原子在二氧化矽中的擴散速率較其在單晶矽中要慢。擴散製程通常包含三個步驟：摻雜氧化層的沉積\氧化反應以及驅入o
●擴散摻雜製程不能夠獨立控制摻雜物的濃度和接面深度。由於它是一種等向過程，因此摻雜物總是會往遮蔽氧化層下擴散。從1970年代中期引進了離子佈植技術後，擴散摻雜製程就被取代了。
●多晶矽和前段的氮化矽沉積通常是一種LPCVD製程，通常會使用帶有真空系統的高溫爐。
●在離子佈植之後，那些充滿能量的離子會對晶體結構造成廣泛的破壞，因此晶圓必須經過一個佈植後的退火處理以恢復單晶結構及活化摻雜物。
●快速加熱製程能以每秒攝氏50到250度的速率來升高溫度，相較之下而高溫爐製程的速率卻只有每分鐘攝氏5到下0度。它控制熱積存的能力也此高溫爐製程要好o
●佈植後的RTA步驟是最常使用的RTP製程，它不但快速又能夠減少摻雜物在退火過程時的擴散情形，而且具有極佳的熱積存控制能力。
●其他的RTP應用包括了介電質退火和矽化物合金的RTA處理，以及RTO和RTCVD製程o
●配備具有多重可控制的加熱區\臨場製程監控以及群集工具的RTP製程反應室，是未來IC生產製程中之熱處理製程的趨勢。
●由於高溫爐的高產量以及低成本，因此IC生產工廠會繼續使用高溫爐來進行較不重要的加熱製程。
微影技術
●光學微影技術是一個圖案化的製程，它使用紫外線把光罩或倍縮光罩上設計好的圖案轉移到暫時塗佈在晶圓表面的光阻上。
●正光阻被紫外線曝光後會變成可溶解的。負光阻會因為聚合物的交連作用而變成不可溶解的。正光阻因為其有較高的解析度能力故較常被使用。
●光阻是由聚合物\感光劑\溶劑和添加劑所組成。
●基本的光學微影技術步驟是：晶圓清潔、預烤和HMDS底漆層的蒸氣塗佈、光阻自旋塗佈、軟烘烤、對準與曝光、曝光後烘烤、光學的邊緣小珠移除(選擇性的)\顯影\硬烘烤，以及圖案檢視。
●晶圓清潔可減少污染物並改進光阻的附著力。
●預烤可去除晶圓表面的水氣(脫水作用)，HMDS底漆層薄膜可幫助光阻黏附於晶圓的表面上。
●對流恆溫(加熱)烤箱、紅外線烤箱、微波烤箱與加熱平板可以用在烘烤製程上。加熱平板在先進的半導體工廠中是最常使用的方法。
●自旋塗佈是最常使用的光阻塗佈製程o
●光阻厚度禾口均勻性與自旋轉速、自旋轉速增快的方式、光阻溫度\晶圓溫度、空氣流動速率以及氣體溫度有關。
●軟烘烤會將光阻內的大部分溶劑驅除且使其變成固體狀o
●在軟烘烤製程中的過度烘烤會使光阻聚合化，並且影響其曝光的感光度o
●在軟烘烤製程中的烘烤不足會因過量的溶劑而造成模糊不清的影像，且在蝕刻或是離子佈植製程期間造成光阻剝離。
●接觸式印像機、鄰接式印像機、投影式印像機和步進機被當作對準與曝光系統使用。步進機的解析度最高，而且是在先進的半導體工廠中最 常使用的一種工具o
●由於光阻分子的受熱移動，曝光後烘烤可以壓制駐波效應o
●顯影劑在顯影製程期間會溶解曝光的正光阻。顯影製程對溫度非常敏感o
●硬烘烤會把殘餘的溶劑從光阻中驅除，改善蝕刻和佈植的抵抗力，以及光阻的附著力。烘烤不足會引起光阻在蝕刻製程期間的損耗;過度烘烤則會引起光阻流動並影響解析度。
●烘烤、塗佈和顯影製程通常是與晶圓軌道系統連成一線來進行的，該系統通常與步進機整合在一起。
●較短的波長有較好的微影解析度。水銀的I－光線(365奈米)和DUV(248奈米)都是最常使用於微影技術的波長。積體電路製造已經在2000年左右開始使用193奈米波長，而157奈米的微影技術則仍在研究發展中。
●極紫外線(EUV)微影技術或是電子束微影系統將在未來取代微影技術，有關可能是在圖形尺寸縮小至40奈米或更小時
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