2020-08-27 09:31:41carled31599
極紫外光刻
極紫外光微影、超紫外線平版印刷術（亦稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的下一代微影技術，目前使用7奈米，2020年得到廣泛應用。
透過高能量、波長短的光源，將電路圖案轉印到晶圓。EUV光源波長比目前深紫外線微影的光源波長短少約15 倍，因此能達到持續將線寬尺寸縮小的目的。
台積電拚5奈米關鍵技術！極紫外光EUV微影技術是怎麼運作的，台積電連續10年營收創高，率先全球採用極紫外光（EUV）微影技術推動7奈米技術前進是關鍵因素之一，而事實上，獨家EUV設備供應商ASML（艾司摩爾科技）。
當光罩上的線路圖案（Patterns）轉印完後，機台會稍微移動晶圓，並將後續的線路圖案繼續轉印在同一片晶圓上。這個過程會一直重複直到晶圓佈滿線路圖案，便完成晶片的一層。要生產出完整的晶片，這個過程必須重複100次以上，將線路圖案疊加，形成積體電路(Integrated Circuit)。
線路圖案的尺寸大小取決於晶片各層，也就是說，晶片各層的曝光需要不同類型的微影設備。
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