2020-06-03 14:29:16carled31599
半導體的純化
區域熔煉法於1952年被貝爾實驗室的威廉·加德納·普凡重新發明,用於製備高純度電晶體材料,如高純度的鍺。 晶圓(Wafer)的生產由砂即(二氧化矽)開始,經由電弧爐的提煉還原成 冶煉級的矽,再經由鹽酸氯化,產生三氯化矽,經蒸餾純化後,透過慢速分 解過程,製成棒狀或粒狀的「多晶矽」。 雖然電子級矽所含的矽的純度很高 ,可達 99.9999 99999 %,但是結晶方式還是很雜亂,又稱為多晶 矽,必須重排成單晶結構才可,因此再將電子級矽置入坩堝內加溫 融化,其係先將溫度降低至一設定點,再以一塊單晶矽為『晶種』。 置入坩堝內,讓融化的矽沾附在晶種上,再將晶種以邊拉邊旋轉 方式抽離坩堝,而沾附在晶種上的矽亦隨之冷凝,形成與晶種相同 排列的結晶。
隨著晶種的旋轉上升,沾附的矽愈多,並且被拉引成 表面粗糙的圓柱狀結晶棒。其中,拉引及旋轉的速度愈慢,則沾附 的矽結晶時間愈久,結晶棒的直徑愈大,反之則愈小。
下一篇:矽在地殼含量