場效電晶體
場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體MOSFET),是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。 對這個NMOS而言,真正用來作為通道、讓載子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區域。當一個正電壓施加在閘極上,帶負電的電子就會被吸引至表面,形成通道,讓n-type半導體的多數載子—電子可以從源極流向汲極。 如果這個電壓被移除,或是放上一個負電壓,那麼通道就無法形成,載子也無法在源極與汲極之間流動,也就是可以透過閘極的電壓控制通道的開關。
因為製造成本低廉與使用面積較小、高整合度的優勢,在大型積體電路或是超大型積體電路的領域裡,重要性遠超過雙載子接面電晶體。
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